当前位置：首页 > 产品中心

碳化硅技术顾问条款

碳化硅技术顾问条款

碳化硅设备厂Axus Technology宣布签单集邦化合物半导体

Axus工艺技术总监Catherine Bullock表示：“得益于对人工智能数据中心、可再生能源和电动汽车等电力电子应用的需求，碳化硅正在快速增长。目前，Axus 正在与碳化硅及其他化碳化硅（SiC）行业分析报告：依据企业的碳化硅技术进步、产业布局等综合方面综合判断，可将当前参与碳化硅产业生产的企业分为3个竞争梯队。【行业深度】洞察2024：中国碳化硅行业竞争格局及市场份额

碳化硅意法半导体STMicroelectronics

ST最近宣布将在意大利卡塔尼亚打造一座集 8英寸碳化硅 (SiC) 功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。通过整合同一地点现有的碳化硅衬底制造厂，意法近日，服务横跨多重电子应用领域的全球半导体厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作，设计及研发使用ST的碳化意法半导体碳化硅电源解决方案被肯微科技采用集邦化合物

什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow

在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括： 120270 W/mK 的高热传导 40x10^6/°C 的低热膨胀系数最大电流密度高这三种特性结合起来，赋予 SiC 出色的导电性，尤其是公司从 2017 年开始布局碳化硅业务，到 2020 年建立长晶和加工中试线，SiC 晶体直径也从最初的 4 英寸增大到如今的 8 英寸，进一步缩小国内外技术差距，保障我国碳化硅产业碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革

2024年全球碳化硅行业技术全景分析技术发展总体步入平稳

碳化硅行业技术生命周期全球碳化硅行业专利技术在21世纪初得到初步发展，这一时期碳化硅专利申请人数量和申请量处于较低水平。随后专利申请量整体处于增长趋势，申请人目前，中国有碳化硅冶炼企业200多家，年生产能力220多万吨（其中：绿碳化硅块120多万吨，黑碳化硅块约100万吨）；加工制砂、微粉生产企业300多家，年生产能力200多万碳化硅技术：未来市场与应用前景展望中国复合材料工业

《碳化硅技术基础》书评：SiC工艺的增长、表征、器件和应用

《Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications》的重要技术和观点总结是：碳化硅具有优异的电学性能、高温稳定性和耐近日，Nexperia宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅 (SiC) MOSFET分立产品。 Nexperia表示，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和提升碳化硅技术，Nexperia宣布与三菱电机合作全球半导体观察

碳化硅：能量转换链的材料变革

请务必阅读正文之后的免责条款部分全球视野本土智慧 Page5 碳化硅：能量转换链的材料变革碳化硅（SiC）是一种由碳和硅两种元素组成的宽禁带化合物半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。据悉，目前，PVT生长工艺是国内厂商生长碳化硅晶体的主流方法，液相法生长技术则处于研究和开发阶段。关于液相法碳化硅晶体生长设备，晶升股份提前开展了相关布局并已经在2023年提供样机给多家客户，随后晶升股份协同客户不断进行优化和改进，进一步提升晶体的品质与良率。晶升股份：已完成两类碳化硅产业核心设备前期开发集邦化合

2023行家说三代半年会碳化硅氮化镓产业高峰论坛暨极光奖

行家说三代半年会致力于成为碳化硅和氮化镓行业最具影响力的年度盛会，旨在展现SiC 和GaN领域的热点和趋势、搭建行业深度分享和广泛交流的平台、推动SiC 和GaN技术广泛应用落地，活动得到了行业上下游企业的广泛支持和认可。本届年会将设置2场技术论坛 SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。意法半导体积极进行产能碳化硅意法半导体STMicroelectronics

碳化硅的激光切割技术介绍技术中心频道《激光世界》

碳化硅的激光切割技术介绍晶片切割是半导体器件制造中的重要一环，切割方式和切割质量直接影响到晶片的厚度、粗糙度、尺寸及生产成本，更会对器件制造产生影响巨大。作为第三代半导体材料，碳化硅对于推动电气革命具有重要意义。然而，制备高 SiC 能够很好地满足高电压需求。碳化硅有可能通过提高整体系统效率来增加电动汽车的行驶里程，特别是在逆变器系统中，即增加汽车的整体节能效果，同时减少电池管理系统的尺寸和重量。高盛投资公司甚至预测，在电动汽车中使用碳化硅可以将电动汽车什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow

基本半导体推出Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块集邦

近日，基本半导体推出汽车级DCM碳化硅（SiC）MOSFET系列模块Pcore™2，是专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度碳化硅功率模块，产品型号包含BMF800R12FC4、BMF600R12FC4、BMF950R08FC4、BMF700R08FC4。据介绍，该产品为业内主流DCM封装模块，采用有压型银自2016年以来，特斯拉Model 3以其革命性的技术革新，为全球汽车行业带来了前所未有的变革。这款车不仅因其独特的设计和卓越的性能受到消费者的喜爱，更因其成为首款采用全碳化硅功率模块主驱逆变器的纯电动汽车而备受瞩目，标志着碳化硅在汽车领域的应用开启了新的特斯拉Model 3引领碳化硅在汽车领域的新篇章 RF技术社区

10条！碳化硅产业动态追踪全球半导体观察

碳化硅产业动态追踪 10条！碳化硅产业动态追踪受新能源、5G、光伏等下游领域驱动，碳化硅产业高速发展。据TrendForce集邦咨询预计2026年SiC功率元件市场规模可望达533亿美元。近年来，国内从事碳化硅相关产业的企业马不停蹄地布局，技术研发不断取得半导体碳化硅 (SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 SiC 四面体。而碳化硅 (SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密堆积层，叫做碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解九域半导体科技

昆芯科技新品发布1200伏 14毫欧碳化硅MOS芯片和车规

碳化硅技术领域2个新进展超1300亿！2024年数十个SiC项目有新进展青禾晶元8英寸SiC键合衬底技术获突破国内碳化硅外延片市场简析 14家SiC相关厂商Q1业绩一览碳化硅（SiC）技术具有比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。本文将为您介绍SiC的发展趋势与在储能系统（ESS）上的应用，以及由Wolfspeed 具有更高效率与优势的碳化硅技术 Arrow

稳懋半导体推出全新RF GaN技术集邦化合物半导体

稳懋半导体推出全新RF GaN技术 6月14日，纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司扩大了其RF GaN技术组合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技术测试版NP120B平台。据介绍，该平台的核心是012μm栅极RF GaN HEMT技术，该技术近400亿，意法半导体8英寸碳化硅工厂正式落地 2023年11月26日，法国产业杂志新工厂（UsineNouvelle）曾透露，意法半导体将于意大利西西里岛卡塔尼亚投资50亿欧元（约3925亿人民币），新建一座8英寸碳化硅（SiC）超级半导体晶圆厂。 5月31日，意法半导体近400亿，意法半导体8英寸碳化硅工厂正式落地集邦化合物

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻

与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和致瞻科技的电动汽车空调压缩机控制器选用了意法半导体第三代1200V SiC MOSFET技术，结合致瞻科技专有的散热解决方案和热保护设计，可以极大提高电动汽车的热管理能效，提升空调压缩机的NVH性能（噪音，震动和声震粗糙度），推动电动压缩机系统小型化，并致瞻科技采用意法半导体碳化硅技术，提高新能源汽车电动

公司介绍集邦化合物半导体

集邦化合物半导体是TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究中心，聚焦碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）等化合物半导体领域。我们致力于为读者提供产业资讯和前沿技术，搭建资本与产业的桥梁，推动国内化合物半导体产业的发展。集邦化合物英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率更高的系统，在实现节能的同时减少现场的每瓦二氧化碳排放。这充分体现了英飞凌坚持不懈持续推动英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动

【行业深度】洞察2024：中国碳化硅行业竞争格局及市场份额

碳化硅（SiC）行业分析报告：依据企业的碳化硅技术进步、产业布局等综合方面综合判断，可将当前参与碳化硅产业生产的企业分为3个竞争梯队。其中，三安光电、天域半导体、比亚迪属于梯队，这些企业在碳化硅产业上拥有较为完整的产业链，可以实行碳化硅基芯片及器件的生产制造;天岳根据TrendForce集邦咨询分析，中国碳化硅外延片产业自2022年进入快速成长期，2023年整体市场规模已达到约225亿美元，至2026年有望上升至1482亿美元。作为制造碳化硅外延片的关键要素，外延设备的重要性不言而喻，ASM、Veeco等来自传统硅及化合物半导体产业国内碳化硅外延片市场简析集邦化合物半导体

碳化硅技术基本原理生长、表征、器件和应用pdf电子书版本下载

碳化硅技术基本原理生长、表征、器件和应用PDF格式电子书版下载下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。点击复制85GB完整离线版磁力链接到迅雷FDM等BT下载工具进行下载详情点击查看共享计划建议使用BT下载工随后在2023年4月，时代电气发布公告，其控股子公司中车时代半导体拟投资46160万元（最终投资金额以实际投资金额为准）实施碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，通过本项目实施，形成面向新能源汽车、轨道交通方向的碳化硅芯片量产生产线。功率半导体带来增量，时代电气上半年净利预增3056%

碳化硅材料厂商晶彩科技新项目落户浙江集邦化合物半导体

碳化硅材料厂商晶彩科技新项目落户浙江 6月21日，绍兴晶彩科技有限公司（下文简称“晶彩科技”）宣布，公司投资的第三代半导体碳化硅衬底专用原辅料关键材料产业化项目于近日签约绍兴柯桥。 source：彩晶科技据介绍，该项目自主研发并攻克原位合成 2023 年 2 月 1 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、德国恩斯多夫市讯 – 碳化硅技术与制造全球引领者 Wolfspeed, Inc （美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的

先进碳化硅技术，有效助力储能系统资源中心

先进碳化硅技术，有效助力储能系统人们普遍认识到，碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用日前，NEC Display Solutions宣布收购德国领先的 LED 解决方案供应商Squadrat，以扩大其显示技术产品组合，使之包含用于室内（小间距）和室外解决方案的完整LED业务体系。新闻稿中，NEC表示凭借视音频行业30多年的经验，此次收购进一步增强了公司的行业地 NEC收购德国LED解决方案供应商Squadrat，扩大显示技术

2024年全球碳化硅技术市场现状及竞争格局分析碳化硅技术

碳化硅（SiC）行业分析报告：全球碳化硅行业专利技术在21世纪初得到初步发展，这一时期碳化硅专利申请人数量和申请量处于较低水平。随后专利申请量整体处于增长趋势，申请人数量则呈现波动增长趋势。2022全球碳化硅行业专利技术申请量或申请人数量整体达到最高水平，整体来看，全球碳化硅请务必阅读正文之后的免责条款部分全球视野本土智慧 Page5 碳化硅：能量转换链的材料变革碳化硅（SiC）是一种由碳和硅两种元素组成的宽禁带化合物半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。碳化硅：能量转换链的材料变革

晶升股份：已完成两类碳化硅产业核心设备前期开发集邦化合

据悉，目前，PVT生长工艺是国内厂商生长碳化硅晶体的主流方法，液相法生长技术则处于研究和开发阶段。关于液相法碳化硅晶体生长设备，晶升股份提前开展了相关布局并已经在2023年提供样机给多家客户，随后晶升股份协同客户不断进行优化和改进，进一步提升晶体的品质与良率。行家说三代半年会致力于成为碳化硅和氮化镓行业最具影响力的年度盛会，旨在展现SiC 和GaN领域的热点和趋势、搭建行业深度分享和广泛交流的平台、推动SiC 和GaN技术广泛应用落地，活动得到了行业上下游企业的广泛支持和认可。本届年会将设置2场技术论坛 2023行家说三代半年会碳化硅氮化镓产业高峰论坛暨极光奖

碳化硅意法半导体STMicroelectronics

SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。意法半导体积极进行产能碳化硅的激光切割技术介绍晶片切割是半导体器件制造中的重要一环，切割方式和切割质量直接影响到晶片的厚度、粗糙度、尺寸及生产成本，更会对器件制造产生影响巨大。作为第三代半导体材料，碳化硅对于推动电气革命具有重要意义。然而，制备高碳化硅的激光切割技术介绍技术中心频道《激光世界》

什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow

SiC 能够很好地满足高电压需求。碳化硅有可能通过提高整体系统效率来增加电动汽车的行驶里程，特别是在逆变器系统中，即增加汽车的整体节能效果，同时减少电池管理系统的尺寸和重量。高盛投资公司甚至预测，在电动汽车中使用碳化硅可以将电动汽车近日，基本半导体推出汽车级DCM碳化硅（SiC）MOSFET系列模块Pcore™2，是专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度碳化硅功率模块，产品型号包含BMF800R12FC4、BMF600R12FC4、BMF950R08FC4、BMF700R08FC4。据介绍，该产品为业内主流DCM封装模块，采用有压型银基本半导体推出Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块集邦